型号 | PSMN1R8-30BL,118 |
厂商 | NXP Semiconductors |
描述 | MOSFET N CH 30V 100A D2PAK |
PSMN1R8-30BL,118 PDF | |
代理商 | PSMN1R8-30BL,118 |
标准包装 | 1 |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 1.8 毫欧 @ 25A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.15V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 170nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 10180pF @ 15V |
功率 - 最大 | 270W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | D2PAK |
包装 | 剪切带 (CT) |
其它名称 | 568-9482-1 |